該儀器采用流水式測量原理，無熱量積累，可長時間連續測量；吸收體與被測激光器形狀吻合，無接收死角，測量精度高；抗激光破壞閾值高，光譜響應范圍寬。適用于大尺寸環形半導體激光器陣列輸出功率的直接測試。流水式探測器設計，適合大功率半導體激光器長時間測試吸收體的表面形狀與被測對象吻合，可實現全光束接收抗激光破壞閾值高響應度高、響應速度快、均勻性好光譜響應范圍寬便于拆裝、操作簡單技術參數：光譜響應范圍：600nm～1000nm功率探測范圍：100w～1500w*大峰值功率密度：≥5kw/cm2光敏面形狀：圓柱形光敏面外表面直徑：≤8mm光敏面長度：150mm響應時間：≤15s
kpbgs-6341電子薄膜應力分布測試儀該儀器是為解決微電子、光電子科研與生產中基片平整度及薄膜應力分布的測試而設計的。它通過測量每道工序前后基片面形的變化（變形）來測量曲率半徑的變化及應力分布，從而計算薄膜應力。廣泛應用于半導體器件工藝研究及質量控制，為改善半導體器件可靠性提供測試數據。本儀器適用于測量si、ge、caas等半導體材料的基片平整度，以及氧化硅、氮化硅、鋁等具有一定反光性能的薄膜的應力分布。技術參數：測試硅片尺寸：2～4英寸硅片曲率范圍：|r|> 5米測試精度：5%（在r=±8米處考核）單片測試時間：3分鐘/片輸出結果類型：面形、曲率分布、梯度分布和應力分布圖形顯示功能：三維立體顯示、二維偽彩色顯示、統計數據表格電 源：ac 220（1±10%）v，50（1±5%）hz*大功耗：100w外形尺寸：285mm×680mm×450mm重 量：≤36kg

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